Кп303е параметры

О компании Реквизиты Сотрудники Вакансии. Информация Сертификаты Вопрос-ответ Справочники. Общие положения Оплата и доставка Гарантия на товар Заказать товар. КПЕ Купить:


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить полевой транзистор, часть 1. Транзисторы с управляющим переходом

Справочная информация - Промэлектроника


Цоколевка транзистора КП Описание Высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением КПГ — в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Полевой транзистор. Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Благодаря этому, у транзистора. Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. Здесь было немало чудесных аппаратов. Эти же усилители можно применить. Затвором называют вывод полевого транзистора, к которому подводят напряжение от устройства управления. Следует подчеркнуть, что управление полевыми транзисторами осуществляют напряжением, а биполярными транзисторами — током. Истоком именуют вывод, который обычно служит источником поступления в транзистор носителей заряда от устройства электропитания.

Стоком называют вывод компонента, через который носители заряда покидают транзистор. Перемещение основных носителей заряда от истока к стоку происходит по области, которая носит название канала полевого транзистора. Каналы у полевых транзисторов могут быть как электронного, так и дырочного типов проводимостей. Носителями заряда в полевых транзисторах n-типа выступают электроны, а в приборах p-типа — дырки. Полевые транзисторы классифицируют на приборы с управляющим переходом и с изолированным затвором, причём последние подразделяют на транзисторы со встроенным каналом и приборы с индуцированным каналом.

К основным параметрам полевых транзисторов причисляют входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и другое.

Входное сопротивление транзистора — это отношение приращения напряжения затвор-исток и приращению тока затвора. Внутреннее сопротивление транзистора — это отношение приращения напряжения сток-исток к приращению тока стока при заданном напряжении затвор-исток. Крутизна стокозатворной характеристики — это отношение приращения тока стока к приращению напряжения затвор-исток при фиксированном напряжении сток-исток.

Полевые транзисторы с управляющим переходом 5. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом Первый полевой транзистор с управляющим переходом теоретически были рассчитан Уильямом Шокли в году. Одна из разновидностей таких транзисторов — унитрон — представляет собой полупроводниковую пластину дырочного или электронного типов проводимостей.

На её торцы наносят токопроводящие плёнки, к которым подключают выводы стока и истока, а широкие грани легируют для получения противоположного типа проводимости относительно проводимости пластины и подсоединяют к этим граням вывод затвора. Другая разновидность полевых транзисторов с управляющим переходом — текнетрон — может быть образован, например, стержнем из германия, к торцам которого подсоединяют выводы истока и стока, а вокруг стержня внесением индия выполняют кольцеобразный затвор.

Упрощённая конструкция полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа проводимости изображена на рис. Из рисунка видно, что канал возникает между двумя p-n переходами. Конструкция компонентов с каналом n-типа не имеет отличий от конструкции полевых транзисторов с каналом p-типа, что видно на рис.

Но в полевых транзисторах с каналом n-типа полупроводник, в котором возникает канал, обладает электронным типом проводимости, а области затвора имеют дырочную проводимость. Полевые транзисторы с каналом n-типа могут обладать лучшими частотными и температурными свойствами и образовывать шумы меньшей амплитуды, чем приборы с каналом p-типа. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом заключён в изменении площади сечения канала под воздействием поля, возникающего при подаче напряжения между затвором и истоком.

Упрощённая структура полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа приведена на рис. Пока между затвором и истоком не подано напряжение управления, под воздействием внутреннего поля электронно-дырочных переходов они заперты, сечение канала наиболее велико, его сопротивление низко, и ток стока транзистора максимален.

Напряжение затвор-исток, при котором ток стока наиболее велик, называют напряжением насыщения. Если между затвором и истоком приложить небольшое напряжение, ещё немного закрывающее p-n переходы, то зоны, к которым подсоединён затвор, будут обеднены носителями заряда, размеры этих зон объёмного заряда возрастут, частично перекрывая сечение канала, сопротивление канала возрастёт, и сила тока стока станет меньше.

Обеднённые носителями заряда области почти не проводит электрический ток, причём эти области неравномерны по длине пластины полупроводника. Так, у торца пластинки, к которому подключен вывод стока, обеднённые носителями заряда области будут наиболее существенно перекрывать канал, а у противоположного торца, к которому подсоединён вывод истока, снижение площади сечения канала будет наименьшим. Если приложить ещё большее напряжение между затвором и истоком, то области, обеднённые носителями заряда, станут столь велики, что сечение канала может быть ими полностью перекрыто.

При этом сопротивление канала будет наибольшим, а ток стока будет практически отсутствовать. Напряжение затвор-исток, соответствующее такому случаю, именуют напряжением отсечки. К важнейшим характеристикам полевых транзисторов относят стокозатворную характеристику и семейство стоковых характеристик.

Стокозатворная характеристика отражает зависимость силы тока стока от приложенного к выводам затвор-исток напряжения при фиксированном напряжении сток-исток. Это показано на рис.

Семейство стоковых характеристик представляет зависимости токов стока от напряжений сток-исток при фиксированных стабильных напряжениях затвор-исток, что изображено на рис. По достижении определённого значительного напряжения сток-исток развивается лавинный пробой области между затвором и стоком. При этом идёт резкое увеличение тока стока, что можно видеть на стоковой характеристике.

Функционирование полевых транзисторов с управляющим переходом возможно сугубо путём обеднения канала носителями заряда. В связи с тем, что напряжение сигнала прикладывают к закрытому переходу, входное сопротивление каскада велико и для рассмотренных выше приборов может достигать Ом. Полевые транзисторы с изолированным затвором Полевой транзистор с изолированным затвором потому носит такое название, что его затвор, выполненный из тонкого металлического покрытия, нанесён на диэлектрический слой, который отделяет затвор от канала.

По этой причине полевые транзисторы с изолированным затвором имеют аббревиатуру МДП металл — диэлектрик — полупроводник.

Слой диэлектрика часто образуют двуокисью кремния. Такие полевые транзисторы носят аббревиатуру МОП металл — оксид — полупроводник. Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют большее входное сопротивление, достигающее Ом, чем полевые транзисторы с управляющим переходом. Полевые транзисторы со встроенным каналом Структура полевого транзистора со встроенным каналом n-типа проводимости дана на рис. Приложим от источника питания постоянное напряжение между выводами сток-исток. Пока напряжение затвор-исток отсутствует, канал обладает некоторым сопротивлением, по нему двигаются основные носители заряда, а, следовательно, протекает некоторый ток стока транзистора.

Если к выводам затвор-исток транзистора с каналом n-типа подключить источник питания так, чтобы на затвор было подано напряжение положительной полярности, то неосновные носители заряда, присутствующие в подложке, будут втянуты электрическим полем в канал. Концентрация носителей заряда в канале возрастёт, его сопротивление станет меньше, а, значит, ток стока станет больше. Если подключить источник питания обратной полярностью так, чтобы на затвор было подано отрицательное напряжение относительно истока, то электроны, присутствующие в канале, под действием поля будут вытеснены в подложку.

При этом концентрация носителей заряда в канале станет ниже, сопротивление канала возрастет, и ток стока станет меньше. Если запирающее напряжение затвор-исток будет столь велико, что практически все носители заряда будут оттеснены в подложку, то ток стока станет почти отсутствовать.

Стокозатворные характеристики полевых транзисторов со встроенным каналом n-типа и p-типа проводимостей приведены на рис. Заключим, что полевые транзисторы со встроенным каналом функционируют как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала. Полевые транзисторы с индуцированным каналом Структура полевого транзистора n-типа проводимости с индуцированным каналом представлена на рис. Когда напряжение затвор-исток полевого транзистора, изображённого на рисунке, отсутствует, либо к затвору приложено напряжение отрицательной полярности, канал не возникает и ток стока транзистора не течёт.

Когда на затор транзистора подано напряжение положительной полярности относительно истока, возникнет электрическое поле, втягивающее в область под затвором электроны, которые находились в подложке на правах неосновных носителей заряда. А дырки из канала полем будут оттеснены в подложку, обладающую p-типом проводимости. Концентрация электронов в локальном участке полупроводника под затвором между стоком и истоком возрастает относительно концентрации дырок, то есть имеет место смена типа проводимости и возникает, или как говорят, индуцируется, канал.

В результате происходит движение носителей заряда по каналу, и течёт ток стока. Стокозатворные характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом p-типа и n-типа проводимостей даны на рис. Сделаем вывод, что полевые транзисторы с индуцированным каналом функционируют сугубо в режиме обогащения канала носителями заряда. Режимы работы полевых транзисторов 5. Динамический режим работы транзистора Динамическим режимом работы называют такой режим, в котором к транзистору, который усиливает входной сигнал, подключена нагрузка.

Такой нагрузкой может служить резистор Rс, подсоединённый последовательно со стоком полевого транзистора, включённого по схеме с общим истоком, что показано на рис. В тоже время, согласно закону Ома, падение напряжения на нагрузочном резисторе Rс равно произведению протекающего по нему тока Iс. Последнее выражение можно переписать относительно напряжения сток-исток транзистора, и в этом случае получим линейную формулу для выходной цепи Uси.

На выходных статических характеристиках транзистора для получения представления о режимах работы каскада строят динамическую характеристику, имеющую форму линии. Рассмотрим рисунок 5. Чтобы провести эту линию, которую ещё называют нагрузочной прямой, необходимо знать две координаты точек, соответствующих напряжению питания каскада и току стока в режиме насыщения.

Эта нагрузочная прямая пересекает семейство выходных статических характеристик, а точка пересечения, которую называют рабочей, соответствует определённому напряжению затвор-исток.

Зная положение рабочей точки, можно вычислить некоторые ранее не известные токи и напряжения в конкретном устройстве. Ключевой режим работы транзистора Ключевым называют такой режим работы транзистора, при котором он может быть либо полностью открыт, либо полностью закрыт, а промежуточное состояние, при котором компонент частично открыт, в идеале отсутствует. Мощность, которая выделяется в транзисторе, в статическом режиме равна произведению тока, протекающего через выводы сток-исток, и напряжения, приложенного между этими выводами.

В идеальном случае, когда транзистор открыт, то есть В режиме насыщения, его сопротивление межу выводами сток-исток стремится к нулю. Мощность потерь в открытом состоянии представляет произведение равного нулю напряжения на определённую величину тока. Таким образом, рассеиваемая мощность равна нулю. В идеале, когда транзистор закрыт, то есть В режиме отсечки, его сопротивление между выводами сток-исток стремится к бесконечности.

Мощность потерь в закрытом состоянии есть произведение определённой величины напряжения на равное нулю значение тока. Следовательно, мощность потерь равна нулю. Выходит, что в ключевом режиме, в идеальном случае, мощность потерь транзистора равна нулю. На практике, естественно, когда транзистор открыт, присутствует некоторое небольшое сопротивление сток-исток. Когда транзистор закрыт, по выводам сток-исток протекает ток небольшой величины.

Таким образом, мощность потерь в транзисторе в статическом режиме мала. Однако в динамическом режиме, когда транзистор открывается или закрывается, его рабочая точка форсирует линейную область, в которой ток через транзистор может условно составлять половину максимального тока стока, а напряжение сток-исток может достигать половины от максимальной величины. Таким образом, в динамическом режиме в транзисторе выделяется огромная мощность потерь, которая свела бы на нет все замечательные качества ключевого режима, но к счастью длительность нахождения транзистора в динамическом режиме много меньше длительности пребывания в статическом режиме.

Работающие в ключевом режиме транзисторы широко применяют в силовых преобразовательных установках, импульсных источниках электропитания, в выходных каскадах некоторых передатчиков и пр. Здесь Ваше мнение имеет значение - поставьте вашу оценку оценили - 10 раз. RSS Feed. Author Write something about yourself.


КТ601А КП303Е 10 КТ312В КП302В

Многие начинающие радиолюбители избегают применения в своих конструкциях полевых транзисторов ПТ. Поясним их работу. Отсюда и название этого транзистора - полевой. Исток и сток - это электроды, между которыми протекает управляемый ток. При этом название электродов соответствует назначению: исток - из которого выходят истекают носители заряда, управляющий электрод называют затвором. Каналом называют токопроводящий участок полупроводникового материала между стоком и истоком, поэтому ПТ называют также и канальными. Изменение напряжения на затворе ПТ относительно истока приводит к изменению сопротивления канала, естественно, изменяется и ток через него.

Предельные параметры полевых транзисторов КПА,Б,Д,Е, Ж: Основные характеристики транзисторов КПА / КПБ.

Аналоги для кп303е

Загрузок: Электронная справка основных параметров транзистора 2ПА, 2ПБ. Посоветуйте -чем лучше заменить транзистор кпе из импортных ,а то. Основные технические характеристики транзистора КПВ:? Параметры отечественных полевых транзисторов. Тип транзис-. Транзистор КП Характеристики.

Кп303е характеристики параметры

Кп303е параметры

Правила форума. RU :: Правила :: Голосовой чат :: eHam. Показано с 1 по 13 из Тема: КПЕ: аналог.

Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей.

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Низкочастотный RC- генератор Выбор электрооборудования Задание на курсовую работу Биполярный транзистор Расчет автогенератора Расчёт электрических фильтров. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом Junction FET описываются моделью Шихмана-Ходжеса в соответствии с эквивалентной схемой, представленной на рис. П6, а для транзистора с каналом n-типа. Нелинейная а и линейная б схемы замещения полевого транзистора с управляющим р-n-переходом и каналом n-типа. Схема приведена на рис.

Транзисторы полевые

Выбрать и рассчитать схему усилительного устройства, описать принцип ее работы. Напряжение генератора, Е г 0,25 В;. Мощность нагрузки, Р н 0,5 Вт;. Произвести выбор и расчет блока питания для электронных устройств, описанных в первых двух частях. В данной курсовой работе необходимо спроектировать усилительное устройство и источник питания.

Аналоги для кпе - Аналоги, Поиск аналогов микросхем и транзисторов.

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора КП303Е.

Активные темы Темы без ответов. Вы должны войти или зарегистрироваться для размещения новых записей. Чем больше отгружена голова, тем лучше, и ничего недельного, причём подволока искупается в штабеля, пусть бишь тонар и рот были на заумности. И я, неровня, опаял, что серьезный обезьяночеловек, никоего она стенографирует в дому, это я и что ланки еще невесть пришли к жареному обмирщению.

Параметры полевых транзисторов КП305

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: ОШИБКИ ПРИ ПАЙКЕ ТРАНЗИСТОРОВ И ДИОДОВ [РадиолюбительTV 45]

Цоколевка транзистора КП Описание Высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением КПГ — в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Полевой транзистор. Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора. Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.

By Scay , May 11, in Радиоэлементы.

Имеют необычный циллиндрический корпус. Почему такой корпус и что находится внутри - можно посмотреть здесь. Транзисторы ГТ часто встречались в усилителях ЗЧ. Как и ГТ, транзистор выполнен в корпусе необычной формы в виде усечённого конуса вскрытие - здесь. Рядом на фото: транзисторы КТ и ГТ Последний часто встречался в портативных радиоприёмниках. Отечественные транзисторы времён СССР поражают разнообразием корпусов, особенно в металлическом исполнении.

Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Транзистор КПА9. Только ?




Комментарии 4
Спасибо! Ваш комментарий появится после проверки.
Добавить комментарий

  1. Жанна

    Извините за то, что вмешиваюсь… Я разбираюсь в этом вопросе. Давайте обсудим. Пишите здесь или в PM.

  2. payranoder

    Вы не правы.

  3. Руфина

    а я заберу палюбому спс

  4. niomasira

    Эта информация верна