Обратное напряжение это
Перейти к основному содержанию. Основное свойство, которое лежит в основе работы выпрямительных диодов — односторонняя проводимость. Пример ВАХ такого диода представлен на рисунке 1. Рисунок 1. Вольтамперная характеристика выпрямительного диода.
Поиск данных по Вашему запросу:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
1.Полупроводниковые диоды, принцип действия, характеристики:. Обратное напряжение диода что такое
Обратное напряжение пробоя для нелавинных тиристоров и прямое напряжение пробоя не относятся к основным параметрам тиристоров и в каталожно-спра-вочных и информационных материалах, как правило, не указываются. Они используются предприятиями-изготовителями для установления максимально допустимых значений параметров тиристоров по напряжению в закрытом и обратном непроводящем состояниях. Кнопка Кн при этом должна быть разомкнута. Максимальное напряжение резистора ограничено обратным напряжением пробоя p - n - перехода.
Величина этого напряжения зависит только от концентрации примесей в материале. Однако при изготовлении легированных диодов с большим обратным напряжением пробоя свыше - в для получения чистых высокоомных слоев, а также для многослойных структур необходимы резкие переходы со скачкообразным изменением концентрации носителей на границе. Для лавинных тиристоров этот параметр является обязательным. При разработке схем следует учитывать, что напряжение на резисторе ограничено обратным напряжением пробоя диода , а в высокочастотных схемах сказывается распределенная емкость.
Эти кристаллики, длина которых может достигать миллиметра, могут располагаться поперек р - n - переходов и сильно уменьшать величину обратного напряжения пробоя в диодах. В качестве стабилитронов в интегральных схемах могут работать три р - n - перехода стандартного интегрального транзистора: база-эмиттер, база-коллектор, коллектор-подложка. Обратное напряжение пробоя каждого из этих переходов определяется степенью легирования кремния. Для переходов база - коллектор и коллектор-подложка это напряжение равно примерно 45 В.
Обратное пробивное напряжение перехода база-эмиттер из-за гораздо более высокой степени легирования эмиттерной области находится в пределах 6 - 7 В, мало зависит от обратного тока пробоя в пределах 1 мкА - 1 мА и безопасно для р - - перехода, если не превышена допустимая мощность, рассеиваемая данной интегральной структурой.
Такой стабилитрон является основным в схемотехнике монолитных интегральных схем, так как получение его не требует введения дополнительных процессов в стандартный технологический цикл интегральных схем. Рассмотрим управляемый выпрямитель без сигнала, приложенного к затвору, имеющий прямое напряжение выше напряжения пробоя отпирания в. Предполагаем, что обратное напряжение пробоя значительно выше. Вольт-амперная характеристика показана на рис.
На этом рисунке для большей ясности в преувеличенном масштабе показаны потери, соответствующие падению прямого напряжения в период проводимости и прямой и обратной утечек в период блокирования. Полевые транзисторы с р - п-переходом имеют большое обратное напряжение пробоя между затвором, истоком и стоком, это устраняет необходимость ограничения напряжения на входах.
В блокинг-генераторах с большими паузами между импульсами во входную цепь включают полупроводниковый диод с большим обратным напряжением и малым током насыщения. В этом случае пауза между импульсами определяется гл.
Включение диода необходимо также при применении дрейфовых транзисторов с низким обратным напряжением пробоя эмиттсрного р - л-перехода. Применение высокочастотных, дрейфовых транзисторов и трансформаторов с ферромагнитными сердечниками с большой проницаемостью и малыми потерями позволяет генерировать импульсы к 10 - 7 сек с фронтами - 10 8 сек.
Следовательно, в р - i - - диоде с гетеропереходами снижаются оба вида потерь, что приводит к уменьшению тепловыделения. Поэтому такой диод может пропускать значительно большие плотности тока в прямом направлении, чем обычный. Обратное напряжение пробоя такой структуры так же велико, как в для обычного р - i-и-диода. Обратное напряжение - пробой Cтраница 1.
Поделиться ссылкой:. Профиль распределения примеси в плен. Управляемый выпрямитель фирма General Electric Co. Общий вид полупроводникового детекюра. К пластинке полупроводника на надежном омическом контакте присоединяются два электрода. Схема полупроводникового детектора с и-р-нсре-ходом. W - обедненная область детектора.
Б - батарея.
Полупроводниковая защита: обзор основных серий TVS-диодов от Littelfuse
Основные параметры биполярного транзистора описаны в любом даташите. Для того, чтобы понять характеристики транзистора, надо научиться читать его основные параметры. Не зная этих параметров, можно накосячить при конструировании своих радиоэлектронных безделушек. Следовательно, по материалу, из которых их производят, все биполярные транзисторы делятся на кремниевые и германиевые. Почему же идет такая классификация? Кремниевый транзистор выдерживает температуру эксплуатации до градусов по Цельсию, тогда как германиевый только до 70 градусов.
Сайт, Руслан Кирилишен
Компания Littelfuse предлагает широкий выбор различных TVS-диодов как для поверхностного монтажа, так и для монтажа в отверстия, с пиковой мощностью 0,2…30 кВт, с уровнями постоянного обратного напряжения 5… В. Все достоинства TVS-диодов Littelfuse по сравнению с другими типами защитных элементов газоразрядниками, варисторами, тиристорами и оптимальные области их применения — в предлагаемой статье. Защита электронных схем от перенапряжений, вызванных различными видами помех, является одной из основных задач при разработке электроники. Помехи имеют различную природу и отличаются по уровню мощности. Например, импульсы, возникающие при грозовых разрядах, имеют колоссальную энергию и амплитуду напряжения в тысячи вольт. Значительно меньшей энергией обладают выбросы при коммутации индуктивных нагрузок. В слаботочных цепях, в основном, возникают маломощные помехи. Очевидно, что при таком разбросе мощностей нет возможности использовать некое универсальное защитное устройство.
Прямое и обратное напряжение диода.
Существует множество светодиодов различных форм, размеров, мощностей. Однако любой светодиод — это всегда полупроводниковый прибор , в основе которого - прохождение тока через p-n-переход в прямом направлении, вызывающее оптическое излучение видимый свет. Принципиально все светодиоды характеризуются рядом конкретных технических характеристик, электрических и световых, о которых мы и поговорим далее. Данные характеристики вы сможете найти в даташите в технической документации на светодиод. Электрические характеристики — это: прямой ток, прямое падение напряжения, максимальное обратное напряжение, максимальная рассеиваемая мощность, вольт-амперная характеристика.
Стабилитрон
Предложить термин Отправить страницу Добавить в избранное. Максимально допустимое обратное напряжение - это напряжение, при котором гарантируется надежная работа диода. Поэтому максимально допустимое обратное напряжение, значение которого указывается в справочниках, значительно меньше пробивного напряжения. Конструкция плоскостного германиевого диода. Вольт-амперная характеристика плоскостного диода. Максимально допустимое обратное напряжение для германиевых плоскостных полупроводниковых диодов колеблется от до в, что значительно меньше, чем у вакуумных.
Выпрямительный диод
Последовательное включение радиодеталей — это когда детали соединены между собой только одной стороной, то есть последовательно:. Параллельное включение радиодеталей — это когда детали соединены между собой в двух точках — в начале и в конце:. Аналогична разности давления в начале и конце трубопровода, зависящей от силы насоса, загоняющего воду в трубу. Измеряется в вольтах В. Аналогичен количеству проходящей воды в трубе. Измеряется в Амперах А. Сопротивление — сила, препятствующая прохождению электричества. Аналогично сужению трубы, препятствующему свободному протоку воды.
2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
Электрика и электрооборудование, электротехника и электроника — информация! Тиристоры — это разновидность полупроводниковых приборов. Они предназначены для регулирования и коммутации больших токов. Тиристор позволяет коммутировать электрическую цепь при подаче на него управляющего сигнала.
Полупроводниковые диоды характеризуются резко нелинейной вольтамперной характеристикой. Поэтому их прямой и обратный токи при одинаковом приложенном напряжении различны. На этом основана проверка диодов омметром. Прямое сопротивление измеряется при подключении плюсового вывода омметра к аноду, а минусового вывода — к катоду диода. У пробитого диода прямое и обратное сопротивление равны нулю. Если диод оборван, оба сопротивления бесконечно велики.
Компьютерные сети Системное программное обеспечение Информационные технологии Программирование. Все о программировании Обучение Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации Главная Тексты статей Добавить статьи Контакты Прямое и обратное напряжение диода. Дата добавления: ; просмотров: ; Нарушение авторских прав. Напряжение, при котором диод открывается и через него идет прямой ток называют прямым Uпр , а напряжение обратной полярности, при котором диод закрывается и через него идет обратный ток называют обратным Uобр. При прямом напряжении Uпр сопротивление диода не превышает и нескольких десятков Ом, зато при обратном напряжении Uобр сопротивление возрастает до нескольких десятков, сотен и даже тысяч килоом.
Тульский государственный педагогический университет им. Толстого физический факультет кафедра теоретической физики. Полупроводниковый диод ПД представляет собой двухэлектродный прибор, действие которого основано на использовании электрических свойств p-n перехода или контакта металл-полупроводник.
Нет, не взлетает!