Кт503б параметры
Описанный в [1] УМЗЧ высокой верности разрабатывался для субъективной экспертизы звучания цифровых лазерных проигрывателей компакт-дисков ПКД. При проведении экспертизы к выходу УМЗЧ подключались мощные высококачественные акустические системы АС , а его вход соединялся С выходом ПКД с целью обеспечения минимальных фазовых и нелинейных искажений, а также снижения уровня шумов посредством простейшего резистивного делителя напряжения, в качестве которого использовался проволочный переменный резистор СПА-2 сопротивлением 15 кОм. Этим делителем можно установить громкость 90—94 фон, необходимую для проведения субъективной экспертизы, поскольку при такой громкости обеспечивается нормальный баланс спектра и нет необходимости в дополнительной частотной коррекции. В дальнейшем регулировка осуществлялась только при смене типа АС или отличии номинального выходного напряжения испытуемого ПКД от стандартного 2 В эфф.
Поиск данных по Вашему запросу:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
Кт503б характеристики
Транзистор КТ — кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, маломощный биполярный транзистор n-p-n структуры.
Применяется в усилителях низкой частоты и генераторных схемах. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируют этот транзистор одним из двух способов: 1. Кодовая маркировка в виде белого круга на передней части корпуса слева.
Группу букву указывают справа. Цветовая маркировка в виде белой точки на передней части корпуса. Группу букву указывают точкой определенного цвета на верхней части транзистора:. Uкбо и - Максимально допустимое напряжение импульсное коллектор-база Uкэо и - Максимально допустимое напряжение импульсное коллектор-эмиттер Iкmax и - Максимально допустимый постоянный импульсный ток коллектора Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Транзистор КТ Транзистор КТ — кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, маломощный биполярный транзистор n-p-n структуры. Цоколевка транзистора КТ Цветовая маркировка транзисторов кт Маркируют этот транзистор одним из двух способов: 1.
Файл:Радио 1982 г. №09.djvu
Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.
Транзисторы типа: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е
Оставьте Ваше сообщение и контактные данные и наши специалисты свяжутся с Вами в ближайшее рабочее время для решения Вашего вопроса. Наш адрес: г. Москва, Пятницкое шоссе. Сарапул, ул. Главная Доставка Вопрос ответ Каталог Контакты. Вход Регистрация. Заказать звонок Заказать звонок. Ваше имя.
КТ503Б (2015г), Транзистор NPN 40В 0,15А 0,35Вт 5МГц TO-92 (КТ-26)
По поводу наличия на складе и цен можете уточнить у наших менеджеров любым удобным способом. Доставка осуществляется во все города на территории Российской Федерации. Способы и сроки поставок, оговариваются индивидуально. Минимальная сумма заказа р.
Транзистор КТ503
Оглавление :: Поиск Техника безопасности :: Помощь. Транзисторы n-p-n, кремниевые, низкочастотные. Изготовлены по эпитаксиально-планарной технологии. Вашему вниманию подборка материалов:. П рактика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств.
Рабочее задание. 1.3 Для схемы усилительного каскада ОК (рисунок 2) и указанных
Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т5ххх являются аналогами транзисторов КТ5ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны. Обозначения: U кб и максимально допустимое напряжение коллектор-база в скобках указано значение для импульсного напряжения U кэ и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер в скобках указано значение для импульсного напряжения I к max и максимально допустимый постоянный ток коллектора в скобках указан максимальный импульсный ток P к max т максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода h 21э статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером I ко обратный ток коллектора f гр граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером К ш коэффициент шума Выбор по параметрам: N-P-N К ш не более: Дб I ко не более: мкА P-N-P f гр не менее: МГц Наимен. К ш не более: Дб. I ко не более: мкА.
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТБ предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. Транзистор КТБ. Техническое описание.
Республика Беларусь , , г. Минск, ул. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Беларусь.
Выберите регион , чтобы увидеть способы получения товара. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Россия. Корзина руб. Статус заказа.
При подборе транзисторов следует также иметь в виду, что КПД усилителя сильно зависит от напряжения насыщения эмиттер — коллектор транзисторов V4—V6. Как показала провер- -ка, большинство транзисторов КТГ удовлетворяет этому требованию. Обмотка должна содержать Г витков провода ПЭВ-1 0,
Как так?
Спасибо афтуру за полезный пост. Полностью прочел, почерпнул много ценного для себя.