Pin диодный аттенюатор

Прямое напряжение : 1 V Обратное напряжение : 30 V. Описание: Силиконовый PIN -диод Краткое изложение особенностей: Серийный диод для мобильной связи в коммутаторах передатчика-приемника с низкими потерями сигнала Переключатель диапазона частот для ТВ-тюнеров Очень низкое Прямое напряжение : 1,2 V Обратное напряжение : 35 V. Описание: Этот недорогой радиочастотный PIN диод Infineon предназначен для высокопроизводительных коммутаторов. Конфигурация шунта снижает паразитную индуктивность и в основном подходит для высокоскоростного переключения. Прямое напряжение : 0,82 V Обратное напряжение : V.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Простой аттенюатор для гитарного усилителя

Модули pin-диодные переключатели


Широкая нелегированная i -область делает pin-диод плохим выпрямителем обычное применение для диода , но, с другой стороны, это позволяет использовать его в аттенюаторах ослабителях сигнала , быстрых переключателях, фотодетекторах , а также в высоковольтной электронике.

Точно так же и диод начинает пропускать ток, как только заполнится носителями заряда i -область. Из-за того, что в i -области очень низкая концентрация носителей заряда, там практически отсутствуют процессы рекомбинации во время инжекции. Но в режиме прямого смещения концентрация носителей заряда на несколько порядков превышает собственную концентрацию. На низких частотах для pin-диода справедливы те же уравнения, что и для обычного.

На высоких частотах в i -области находится большое количество накопленного заряда, который позволяет диоду работать. На низких частотах заряд в i-области рекомбинирует и диод выключается. Реактивное сопротивление обратно пропорционально постоянному току, протекающему через pin-диод. Большая ширина i -области также означает, что pin-диод имеет небольшую ёмкость при обратном смещении.

Области пространственного заряда ОПЗ в pin-диоде практически полностью находятся в i -области. Некоторые фотодетекторы, такие как pin-фотодиоды и фототранзисторы в которых переход база-коллектор является pin-диодом , используют pin-переход для реализации функции детектирования. При проектировании pin-диода приходится искать компромисс: с одной стороны, увеличивая величину i -области а соответственно, и количество накопленного заряда можно добиться резистивного поведения диода на более низких частотах, но с другой стороны, при этом для рекомбинации заряда и перехода в закрытое состояние потребуется большее время.

Поэтому, как правило, pin-диоды каждый раз проектируются под конкретное приложение. При нулевом или обратном смещении pin-диод имеет малую ёмкость.

Ёмкость небольшой величины не пропускает высокочастотный сигнал. При прямом смещении и токе 1 мА типичный pin-диод имеет реактивное сопротивление порядка 1 Ом, что делает его хорошим проводником в РЧ-тракте. Ёмкость выключенного дискретного pin-диода составляет примерно 1 пФ. В системах, рассчитанных на 50 Ом, ослабление сигнала будет около 20 дБ , что в некоторых приложениях недостаточно.

В приложениях, требующих большей изоляции, переключатели каскадируются: каскад из трёх диодов даёт ослабление в 60 дБ и более до дБ в зависимости от частоты. На высоких частотах реактивное сопротивление pin-диода обратно пропорционально силе тока.

Соответственно, pin-диод может использоваться как управляемый аттенюатор, например, в схемах амплитудных модуляторов и сдвига уровня. Если входной сигнал мал и находится в области допустимых значений, то pin-диод как малая ёмкость вносит минимальные искажения. В этих приложениях pin-диод используется как фотодиод. В качестве фотодетектора pin-диод работает при обратном смещении.

При этом он закрыт и не пропускает ток за исключением незначительного тока утечки. Фотон входит в i -область, порождая образование электронно-дырочных пар. Носители заряда, попадая в электрическое поле ОПЗ, начинают двигаться к высоколегированным областям, создавая электрический ток, который может быть детектирован внешней цепью. Проводимость диода зависит от длины волны, интенсивности и частоты модуляции падающего излучения.

Величина обратного напряжения может достигать больших значений, при этом б о льшее напряжение создает большее поле, которое вытягивает носители из ОПЗ i -области более быстро.

Некоторые детекторы могут использовать эффект лавинного умножения носителей заряда. Pin-диоды на основе алмаза, использующие явление суперинжекции , могут использоваться в качестве светоизлучающих устройств. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии , проверенной 24 сентября ; проверки требуют 10 правок. Алмазные светодиоды вместо гетероструктур? Для улучшения этой статьи желательно :.

Викифицировать статью. Перевести текст с иностранного языка на русский. Найти и оформить в виде сносок ссылки на независимые авторитетные источники , подтверждающие написанное. Проставив сноски , внести более точные указания на источники.

Пожалуйста, после исправления проблемы исключите её из списка параметров. После устранения всех недостатков этот шаблон может быть удалён любым участником.

Полупроводниковые диоды. Суперлюминесцентный диод Органический светодиод Синий светодиод Белый светодиод. Селеновый выпрямитель Медно-закисный выпрямитель.

Лавинно-пролётный диод Туннельный диод Диод Ганна. Стабилитрон Со скрытой структурой Лавинный диод Стабистор. Лямбда-диод Кристаллический детектор Диодный мост p-n -переход. Категории : Полупроводниковые приборы Полупроводниковые диоды Силовая электроника. Скрытые категории: Википедия:Статьи к викификации Википедия:Незавершённый перевод Википедия:Статьи без ссылок на источники Википедия:Статьи без источников тип: не указан Википедия:Статьи без сносок.

Пространства имён Статья Обсуждение. Эта страница в последний раз была отредактирована 23 сентября в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

Подробнее см. Условия использования. Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Свяжитесь с нами Разработчики Заявление о куки Мобильная версия. Для улучшения этой статьи желательно : Викифицировать статью.


PIN Diode Switch

Доступны как яркие, так и темные конфигурации с очень низкими вносимыми потерями и поляризационными потерями, высоким динамическим диапазоном и высоким коэффициентом экстинкции. Герметичный чип MEMS нечувствителен к ударам и вибрации. Элементы управления излучением. Оптические аттенюаторы. Оптические столы и плиты. Рабочие места.

Факт малого места, которое этот аттенюатор для себя требует, делает его очень интересным для всякого пользования в микроминиатюризации.

Электрически управляемые диодные аттенюаторы

Цель работы: закрепить знания и навыки использования p-i-n-диодов для модуляции и управления уровнем мощности в трактах передающих устройств СВЧ. Внешняя модуляция с помощью управляемых диодных аттенюаторов. Модулирующие устройства типа диодных управляемых аттенюаторов относятся к классу устройств внешней модуляции, т. Основным их преимуществом является то, что они не нарушают режимов работы других каскадов и позволяют держать последние в условиях, наиболее выгодных в энергетическом отношении. Управляемые диодные аттенюаторы наибольшее распространение получили в диапазонах СВЧ при реализации широкодиапазонных модулирующих устройств. В управляемых устройствах СВЧ диапазона аттенюаторах, модуляторах, фазовращателях применяются разнообразные полупроводниковые диоды, но наибольшее распространение получил р- i - n -диод. Конструкция p - i - n - диода приспособлена для применения в полосковых, коаксиальных и волноводных устройствах, p - i - n - диод представляет трёхслойную структуру, состоящую из двух низкоомных сильнолегированных областей р и п и расположенного между ними слоя высокоомного слаболегированного полупроводника р или п типа.

Вы точно человек?

Pin диодный аттенюатор

Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно.

Широкая нелегированная i -область делает pin-диод плохим выпрямителем обычное применение для диода , но, с другой стороны, это позволяет использовать его в аттенюаторах ослабителях сигнала , быстрых переключателях, фотодетекторах , а также в высоковольтной электронике.

Коммутация ВЧ и СВЧ сигналов с помощью p-i-n-диодов

The balanced topology delivers excellent return loss while the single control voltage can be applied to either side of the die. This wideband VVA MMIC is compatible with conventional die attach methods, as well as thermocompression and thermosonic wirebonding, making it ideal for MCM and hybrid microcircuit applications. All data shown herein is measured on chip in a 50 Ohm environment and contacted with RF probes. Данный продукт выпущен на рынок. Техническое описание содержит окончательные характеристики и рабочие параметры продукта.

ШИРОКОПОЛОСНЫМ МОНОЛИТНЫИ АТТЕНЮАТОР для АФАР Х-ДИАПАЗОНА

О предприятии. Справка о предприятии. Электронные измерительные приборы. Приборы для измерения частоты и времени. Источники сигналов. Измерители и анализаторы сигналов. Анализаторы цепей. ВЧ- и СВЧ-устройства и оптические компоненты.

p-i-n-диоды применяются для коммутации ВЧ и СВЧ сигналов. Это возможно благодаря Рис. Управляемый аттенюатор для связного приемника Рис. Последовательно-параллельный p-i-n-диодный коммутатор.

Проведен анализ поведения модели аттенюатора в программе NI Multisim при различных режимах его работы. The analysis of behavior of model of the attenuator in program NI Multisim carried out at various modes of its operation is given in the article. Makarenko Pin-диод разновидность диода рис.

Для согласования входов в схемы запредельных аттенюаторов вводят поглощающие элементы. В согласованном аттенюаторе рис. В цепь зонда включена поглощающая вставка R 2 , обеспечивающая согласование на выходе аттенюатора. Аттенюатор ослабляет мощность при изменении длины круглого волновода с помощью скользящего соединения во внешнем проводнике выходного коаксиального волновода. На сантиметровых волнах применяют также волноводные аттенюаторы с поглощающими пластинками. По конструкции они аналогичны волноводным фазовращателям рис.

Диод PIN - диод с широкой, нелегированной внутренней областью полупроводника между полупроводником p-типа и областью полупроводника n-типа. P-тип и области n-типа, как правило, в большой степени лакируются, потому что они используются для омических контактов.

PIN - диод представляет собой диод с широкой, нелегированной внутренними полупроводниковой областью между полупроводником р-типа и полупроводником п-типом областью. Области р-типа и N-типа , как правило , сильно легированные , так как они используются для омических контактов. Широкая внутренняя область , в отличие от обычного р-п диода. Широкая внутренняя область делает диод подчиненного выпрямитель одна типичной функции диода , но это делает его пригодным для аттенюаторов, быстрых переключателей, фотодетекторов и высоковольтных применений силовой электроники. PIN - диод работает под то , что известно как инъекции высокого уровня. Ее функция может быть приравнена к заполнению с водой ведра с отверстием на стороне.

Широкая нелегированная i -область делает pin-диод плохим выпрямителем обычное применение для диода , но, с другой стороны, это позволяет использовать его в аттенюаторах ослабителях сигнала , быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике. Точно так же и диод начинает пропускать ток, как только заполнится носителями заряда i -область. Из-за того, что в i -области очень низкая концентрация носителей заряда, там практически отсутствуют процессы рекомбинации во время инжекции.




Комментарии 0
Спасибо! Ваш комментарий появится после проверки.
Добавить комментарий

  1. Пока нет комментариев.