Забыли пароль? Все параметры BPV11F, фототранзистор 5мм - nm Vishay. BPW85C, фототранзистор BPW96C, фототранзистор BPW17N, фототранзистор

Поиск данных по Вашему запросу:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Вольтаические сенсоры. Сенсоры на диодах и биполярных транзисторах
• Созданы самые скоростные и высокочувствительные на сегодняшний день гибкие фототранзисторы
• 3. Фототранзисторы (рисунок 7.8).
• Фототранзисторы. Устройство и работа. Применение и особенности
• Фототранзисторы
• «Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов»
• Фототранзисторы и фототиристоры: работа, свойства, применение

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Простое фотореле своими руками

Вольтаические сенсоры. Сенсоры на диодах и биполярных транзисторах

Напряжение питания на фототранзистор подают также, как и на биполярный транзистор, то есть эмиттерный переход смещают в прямом направлении, а коллекторный — в обратном рисунок 7. Часто применяют включение, когда напряжение прикладывается только между коллектором и эмиттером, а вывод базы остаётся оторванным рисунок 7.

Такое включение называется включением с плавающей базой и характерно только для фототранзисторов. Конструктивно фототранзистор выполнен так, что световой поток облучает область базы.

В результате в ней генерируются электронно-дырочные пары. Неосновные носители заряда в базе дырки диффундируют к коллекторному переходу и перебрасываются электрическим полем перехода в коллектор, увеличивая ток коллектора. Если база разомкнута, то основные носители заряда электроны , образовавшиеся в результате облучения, не могут покинуть базу и накапливаться в ней.

Объёмный заряд этих электронов снижает потенциальный барьер эмиттерного перехода, в результате чего увеличивается диффузионное движение дырок через эмиттерный переход. Инжектированные дырки, попав в базу, движутся, как и в обычном транзисторе к коллекторному переходу и, переходя в область коллектора, увеличивают его ток.

Такие же процессы происходят и при подаче тока от внешнего источника в цепь базы. ВАХ транзистора показаны на рисунок 7. Фототиристоры рисунок 7. Они представляют собой фотоэлектрические аналоги управляемого тиристора.

При освещении баз тиристора возрастают токи через переходы П1 и П3, что приводит к снижению напряжения, при котором открывается тиристор рисунок б. То есть вместо тока управления используется световой поток. Между источником излучения и фотоприёмником имеется среда, которая выполняет функции световода. Для уменьшения потерь на отражение от границы разряда светоизлучателя и световода, последний должен иметь большой коэффициент преломления, так как соответствующий коэффициент преломления материалов, из которых изготавливают источники света обычно велик.

Оптрон с селеновым световодом показан на рисунок 7. В оптоэлектронике применяется волоконная оптика, которая во многих случаях имеет и самостоятельное значение. Работа элементов волоконной оптики основана на том, что свет передаётся по отдельному тонкому волокну, не выходя за его пределы вследствие полного внутреннего отражения. Собранные в один жгут волокна передают световые лучи независимо друг от друга.

Световод волоконной оптики рисунок 7. В таком волокне малого диаметра свет проходит не выходя за поверхность волокна, если угол изгиба меньше 90 о. Световоды вносят некоторое запаздывание в передачу сигнала, которое на длине 1м составляет 10 -9 — 10 с. Материалами для волоконных световодов служат различные стёкла, как органические, так и неорганические. Для интегральных оптоэлектронных микросхем применяются плёночные световоды. Они выполняются в виде плёночных полосок стекла толщиной 0,5 мкм и шириной мкм.

Источник света — светодиод из арсенида галлия. Фотоприёмник — кремневый фотодиод. Частота коммутации тока — 10 6 — 10 7 Гц. Сопротивление в закрытом состоянии 10 8 — 10 10 Ом. Сопротивление в открытом состоянии Ом — 10 кОм. Имеет большую чувствительность в сравнении с диодными оптронами. Частота коммутации — 10 5 Гц. R закр. R откр. Имеет большой выходной ток I вых. Применяется в сильноточных цепях.

Применяется для различного рода бесконтактных регулировок в цепях автоматического управления. Излучатель — светодиод на основе фосфида галлия или электролюминесцентной конденсатор.

Фотоприемник — пленочный фоторезистор. Файловый архив студентов. Логин: Пароль: Забыли пароль? Email: Логин: Пароль: Принимаю пользовательское соглашение. FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Добавил: maximnazarov27 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права?

Сообщите нам. Скачиваний: Принцип действия транзистора. Униполярные полевые транзисторы. Полевые транзисторы с p-n переходом. Мдп - транзисторы. Принцип работы триодного тиристора. Принцип построения усилительных каскадов. Усилительный каскад с общим эмиттером. Многокаскадные усилители с конденсаторной связью. Усилители мощности.

Двухтактный усилитель мощности рисунок 2. Операционные усилители оу. Инвертирующий усилитель рисунок 2. Однофазный двухполупериодный неуправляемый выпрямитель с нулевым выводом. Работа выпрямителя при активно-индуктивной нагрузке. Узлы параллельной коммутации. Однофазный параллельный инвертор тока.

Автономные резонансные инверторы аир. Последовательный аир со встречными диодами. Автономные инверторы напряжения. Способ формирования выходного напряжения инвертора в виде импульсов чередующейся полярности и одинаковой длительности. Широтно-импульсный способ формирования и регулирования выходного напряжения инвертора.

Шир с зависящей от параметров нагрузки формой кривой выходного напряжения. Шир с не зависящей от параметров нагрузки формой кривой выходного напряжения. Формирование кривой выходного напряжения инвертора с уменьшенным содержанием гармонических. Фототранзисторы рисунок 7. Логические элементы на диодах и биполярных транзисторах.

Логический элемент или. Логический элемент и. Логический элемент не. Логический элемент или-не. Логический элемент и-не. Параметры логических элементов. Логические элементы на полевых транзисторах. Световоды и простейшие оптроны Между источником излучения и фотоприёмником имеется среда, которая выполняет функции световода.

Источник света, световод и фотоприёмник вместе образуют оптрон. Диодный оптрон рисунок 7. Транзисторный оптрон рисунок 7. Тиристорный оптрон рисунок 7. Резисторный оптрон рисунок 7. Соседние файлы в предмете Силовая электроника

Созданы самые скоростные и высокочувствительные на сегодняшний день гибкие фототранзисторы

Принцип действия npn-транзистора, который усиливает электрические сигналы. Эффекты низких эмиттерных напряжений. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры. Измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе. Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.

3. Фототранзисторы (рисунок 7.8).

Напряжение питания на фототранзистор подают также, как и на биполярный транзистор, то есть эмиттерный переход смещают в прямом направлении, а коллекторный — в обратном рисунок 7. Часто применяют включение, когда напряжение прикладывается только между коллектором и эмиттером, а вывод базы остаётся оторванным рисунок 7. Такое включение называется включением с плавающей базой и характерно только для фототранзисторов. Конструктивно фототранзистор выполнен так, что световой поток облучает область базы. В результате в ней генерируются электронно-дырочные пары. Неосновные носители заряда в базе дырки диффундируют к коллекторному переходу и перебрасываются электрическим полем перехода в коллектор, увеличивая ток коллектора. Если база разомкнута, то основные носители заряда электроны , образовавшиеся в результате облучения, не могут покинуть базу и накапливаться в ней. Объёмный заряд этих электронов снижает потенциальный барьер эмиттерного перехода, в результате чего увеличивается диффузионное движение дырок через эмиттерный переход. Инжектированные дырки, попав в базу, движутся, как и в обычном транзисторе к коллекторному переходу и, переходя в область коллектора, увеличивают его ток.

Фототранзисторы. Устройство и работа. Применение и особенности

Отправьте статью сегодня! Журнал выйдет 19 октября , печатный экземпляр отправим 23 октября. Дата публикации : Статья просмотрена: раз.

Фототранзисторы

Вольт - амперные характеристики напоминают выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ рис. Энергетические характеристики и спектральные характеристики подобны характеристикам фотодиода. Коэффициент усиления по фототоку. В промышленных фототранзисторах он достигает значения и может быть найден как отношение фототока коллектора фототранзистора со свободной базой к фототоку коллекторного , измеренному в диодном режиме при отключенном эмиттере при том же значении светового потока; 5. Ширина полосы пропускания у биполярных фототранзисторов достигает Гц. Кроме фототранзисторов и -типов в качестве высокочувствительных фотоприемников можно использовать полевые фототранзисторы.

«Исследование характеристик фотодиодов и фототранзисторов»

Фоточувствительные приборы используются в разных отраслях электроники и радиотехники. Все больше сейчас применяется фототранзистор, у которого более простой принцип работы, нежели у фотодиодов. Фототранзистор — это полупроводниковый прибор оптоволоконного типа, который используется для управления электрическим током при помощи определенного оптического излучения. Эти устройства разработаны на базе обычного транзистора. Их современными аналогами являются фотодиоды, но фототранзисторы лучше подходят для многих современных радио и электронных приборов. По принципу действия, они напоминают также фоторезисторы.

Фототранзисторы и фототиристоры: работа, свойства, применение

Напомним, что биполярный транзистор представляет собой 2 рядом расположенных -перехода и имеет структуру или. Центральную его область называют "базой", другие две — "эмиттером" и "коллектором". Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. В "активном" режиме напряжение на эмиттерном переходе прямое, на коллекторном — обратное.

Категории: Физика Электроника. Похожие презентации:. Элементы оптоэлектроники. Приборы с зарядовой связью. Лекция

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны. Оптоэлектроника является одним из самых актуальных направлений современной электроники. Оптоэлектронные приборы характеризуются исключительной функциональной широтой, они успешно используются во всех звеньях информационных систем для генерации, преобразования, передачи, хранения и отображения информации. При создании оптоэлектронных приборов используется много новых физических явлений, синтезируются уникальные материалы, разрабатываются сверхпрецизионные технологии. Оптоэлектроника достигла стадии промышленной зрелости, но это только первоначальный этап, так как перспективы развития многих ее направлений практически безграничны. Новые направления чаще всего возникают как слияние и интеграция ряда уже известных достижений оптоэлектроники и традиционной микроэлектроники: таковы интегральная оптика и волоконно-оптические линии связи; оптические запоминающие устройства, опирающиеся на лазерную технику и голографию; оптические транспаранты, использующие успехи фотоэлектроники и нелинейной оптики; плоские безвакуумные средства отображения информации и др.

Фототранзистор — это управляемый световым потоком прибор с двумя или большим числом взаимодействующих между собой p-n переходов. Фототранзисторы применяют в оптронах, в качестве первичного преобразователя датчика измерительно-информационной системы, элемента приемного модуля, волоконно-оптических систем связи средне пропускной способности. Схема конструкции биполярного фототранзистора имеет вид:. Фототранзистор состоит из эмиттера -типа, области базы n-типа освещаемой световым потоком, и коллектора p-типа проводимости.