Просмотр полной версии : Электронная кнопка, мосфет, рекомендации. Форум о вейпинге eKurilka. Хочу поднять темку, комрады. И попрсить Вас поделиться накопленными идеями, а лучше практическими советами и навыками. Сам заказал недавеча irlbpbf, но берут сомнения, по даташиту на затвор мин 5В.

Поиск данных по Вашему запросу:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Как проверить полевой МОП (Mosfet) - транзистор цифровым мультиметром
• Выбор полевого MOSFET транзистора для стола и экструдера — мануал по важным аспектам даташитов
• МОП-структура
• Мосфет для мехмода
• Когда и почему выходят из строя MOSFET?
• Драйвер мощных полевых транзисторов MOSFET для низковольтных схем
• MOSFET транзисторы
• Полевой МОП транзистор

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как работает и как проверить MOSFET (МОП) Транзистор ✔ (проверка без тестера)

Как проверить полевой МОП (Mosfet) - транзистор цифровым мультиметром

Rload в схемах - лампы накаливания 12В с проводами м. Нагрузка может быть в 2-х каналах сразу или в одном из каналов. По первой схеме особых вопросов нет, разве что нужны ли подтягивающие затвор резисторы и стабилитроны для защиты З-И от перенапряжения?

Еще есть небольшие пиковые выбросы на затворах, порядка В. Их никак не удается убрать, кроме как уменьшить путем увеличения сопротивления затворных резисторов, но не боле Ом, т.

Какие еще более-менее простые меры можно принять для того чтобы избавиться от этих выбросов и увеличить надежность схемы? На полную правильность второй схемы тоже не претендую, так как по причине небольшого опыта работы с MOSFET она была честно передрана из какого-то заграничного источника и подкорректирована под свои цели.

С этой схемой есть одна неприятная проблема. Периодически выходит из строя один из VT11, VT Сопротивление И-С становится порядка Ом и транзистор плавит все вокруг, причем все компоненты в затворных цепях и второй транзистор целые. Один из транзисторов может выйти из строя сразу после включения или проработать неделю, месяц, а потом сгорает.

Подскажите, пожалуйста, физику процесса выхода из строя MOSFET в данной схеме и как это можно предотвратить и увеличить надежнось схемы? Схемы собраны на печатных платах, самая большая длина затворных проводников не больше 25мм, ширина 0. Силовые проводники длиной не более 30мм, шириной мм.

Вот, как во второй схеме предусмотрено. Кстати, ни там, ни там, не замечено никаких защитных цепей от выбросов бортовой сети. Они должны быть обязательно! Ну, и стабилитроны, конечно. Непонятно, кстати, если нагрузка - простые лампы накаливания, то для чего нужны комплементарные каналы, да ещё и с различной общей точкой: одни лампы подключены общим концом к плюсу питания, другие - к общему проводу.

Это задумка такая? В чём её смысл? Возникает подозрение, что схема схемы просто содрана с какого-то УМЗЧ. А по поводу выхода из строя транзистора - то как это происходит? В бортовой сети или при питании лабораторным источником на столе тоже? А диодные растяжки не подходят? Или нужно параллельно mosfet супрессоры ставить вместо диодов?

В первой схеме там по питанию супрессор на 18В вроде нарисован, VD Выходит из строя в бортсети. На столе работает нормально, правда жестоких тестов не устраивал, кроме как искрил проводами при токе 10А.

То же самое и в отношении компонентов — если предельное напряжение затвора 20 В, то номинал ограничителя должен быть не более 10 В. И что он делает в противоположном от вверенного ему объекта углу платы? Читает иронические детективы? Супрессор установлен по питанию и расположен в правильном углу, прямо на клеммах питания, если вы о нем. Без "иронических детективов" никак не обойтись?

С Ваших слов, между ограничителями затворов и затворами — 5 см. В моём понимании, для такого количества компонентов это диагональ платы, то есть её противоположный угол. Возможно не так выразился, имелось в виду расстояние от выходных транзисторов драйвера до затворов, я же не сказал что ограничители стоят в стороне от затворов. Ограничтели расположены максимально близко к затворам, на сколько это возможно.

Немного подкорректировал схему в соответствии с советами. Только не знаю можно ли стаблитроны включать до затворных резисторов или нужно после резисторов на каждый из затворов по стабилитрону? Если и так можно, то возможно ли заменить стабилитрон VD14 в таком включении на диод, например на ? А не подскажите в корпусе SOD80 или похожем мелком корпусе такие бывают, чтобы легко доставабельные? А то поиск не сильно многословен был, выдал только серии RSB от Rohm?

Посмотрел, вроде подходит, но купить их негде. Ваши параллельные включаются не одновременно, первичный бросок ток проходит через первый включившийся. Предельный ток 74а. Сопротивление холодной нити накала лампы в раз ниже чем у загоревшейся. Ток включения около А. Добрый день. Схемы работают в борт. Спасибо всем откликнувшимся. Share this post Link to post Share on other sites.

Как ни странно дешевле. По крайней мере у нас в лесу. Вы бы почитали сперва стандарты Там, по-хорошему, должны быть двуханодные стабилитроны. Каждый поближе к своему затвору. This topic is now closed to further replies. Go To Topic Listing Схемотехника.

Выбор полевого MOSFET транзистора для стола и экструдера — мануал по важным аспектам даташитов

Rload в схемах - лампы накаливания 12В с проводами м. Нагрузка может быть в 2-х каналах сразу или в одном из каналов. По первой схеме особых вопросов нет, разве что нужны ли подтягивающие затвор резисторы и стабилитроны для защиты З-И от перенапряжения? Еще есть небольшие пиковые выбросы на затворах, порядка В. Их никак не удается убрать, кроме как уменьшить путем увеличения сопротивления затворных резисторов, но не боле Ом, т. Какие еще более-менее простые меры можно принять для того чтобы избавиться от этих выбросов и увеличить надежность схемы?

МОП-структура

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом. Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять. Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен. Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики. На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов.

Мосфет для мехмода

Всем хороши мощные полевые транзисторы MOSFET, кроме одного маленького нюанса, — подключить их напрямую к выводам микроконтроллера зачастую оказывается невозможно. Это, во-первых, связано с тем, что допустимые токи для микроконтроллерных выводов редко превышают 20 мА, а для очень быстрых переключений MOSFET-ов с хорошими фронтами , когда нужно очень быстро заряжать или разряжать затвор который всегда обладает некоторой ёмкостью , нужны токи на порядок больше. И, во-вторых, питание контроллера обычно составляет 3 или 5 Вольт, что в принципе позволяет управлять напрямую только небольшим классом полевиков которые называют logic level — с логическим уровнем управления. Одним из выходов, в данной ситуации, является использование специальных микросхем, — драйверов, которые как раз и предназначены для того, чтобы тягать через затворы полевиков большие токи. Однако и такой вариант не лишён недостатков.

Когда и почему выходят из строя MOSFET?

Полевой транзистор с изолированным затвором — это транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление у некоторых моделей оно достигает 10 17 Ом. Принцип работы этого типа полевого транзистора, как и полевого транзистора с управляющим PN-переходом , основан на влиянии внешнего электрического поля на проводимость прибора. МДП-транзисторы делятся на два типа — со встроенным каналом и с индуцированным каналом. В каждом из типов есть транзисторы с N—каналом и P-каналом. Все это покрывается тонким слоем диэлектрика, обычно диоксида кремния SiO 2.

Драйвер мощных полевых транзисторов MOSFET для низковольтных схем

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы - лидеры Не взлетает квадрокоптер 1 ставка. Перестал работать Mi band 4 1 ставка. Роботы уничтожат ваши рабочие места? А разве понятие "эфир" можно всерьёз рассматривать в электронике?

MOSFET транзисторы

Войти или зарегистрироваться. Искать только в заголовках Сообщения пользователя: Имена участников разделяйте запятой. Новее чем: Искать только в этой теме Искать только в этом разделе Отображать результаты в виде тем.

Полевой МОП транзистор

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Урок №23. Полевой (MOSFET) транзистор.

В данной статье анализируется поведение MOSFET-транзистора при высоком напряжении питания в мощном конверторе с преобразованием при нулевом напряжении, и выдвигается оригинальная теория причины пробоя MOSFET-транзистора. Здесь также предложены новые технические решения по повышению устойчивости транзистора и, следовательно, надежности всего оборудования. Преимущества схем конверторов с мягким переключением и, в частности, с переключением при нулевом напряжении ПНН, также называемое переходом при нуле напряжения или резонансным переходом , известны большинству специалистов. Высокочастотные конверторы, запитываемые от источника высоковольтного напряжения, демонстрируют значительно улучшенные характеристики при использовании топологии с мягким переключением. К данным улучшениям можно отнести:.

Мощные транзисторы MOSFET хорошо известны своей исключительной скоростью переключения при весьма малой мощности управления, которую нужно прикладывать к затвору. Основная причина в том, что затвор изолирован, поэтому требуется мощность только на перезаряд емкости затвор-исток, и в статическом режиме цепь затвора практически не потребляет тока. Основные недостатки, которые не дают MOSFET стать "идеальным", это сопротивление открытого канала R DS on , и значительная величина положительного температурного коэффициента чем выше температура, тем выше сопротивление открытого канала. В этом апноуте обсуждаются эти и другие основные особенности высоковольтных N-канальных мощных MOSFET, и предоставляется полезная информация по выбору транзисторов и их применению перевод статьи [1]. Электроды у биполярного транзистора называются база, коллектор, эмиттер, а у полевого транзистора затвор, сток, исток.

Добрый день, уважаемые форумчане. Начали с другом осваивать ардуинку, столкнулись с проблемой подключения высокомощной нагрузки. Реле не подошло по требованиям, попробовали мосфеты, раз их советуют во всех мануалах.