Включение полевого транзистора
Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Каждый из этих типов имеет свой принцип работы и конструктивное исполнение, однако, общим для них является наличие полупроводниковых p-n структур. Определение "биполярный" указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух типов - электроны и дырки. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей — основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.
===Поиск данных по Вашему запросу:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Primary Menu
- СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- Схемы включения Полевых Транзисторов
- Анализ и расчет статических параметров транзистора в схеме с общим затвором
- Режимы работы и схемы включения полевых транзисторов
- Полевые транзисторы
- 1.2.2. Схемы включения полевых транзисторов
- Схемы включения транзисторов
Primary Menu
Анализируя возможность использования полевых транзисторов для усиления электрических сигналов мы ограничивались только одним частным случаем подачи на электроды транзистора определенных напряжений и не рассматривали некоторые достаточно важные физические процессы в полупроводниках.
Но помимо уже описанной ситуации возможны и другие, приводящие, например, к протеканию в канале тока не от истока к стоку, а наоборот — от стока к истоку и т. В общем случае для полевого транзистора, так же как и для биполярного, возможны различные устойчивые состояния режимы работы.
Они отличаются друг от друга тем, в каком состоянии находится канал, соединяющий исток и сток транзистора, а также направлением тока, протекающего в канале. В полевых транзисторах дополнительно принято классифицировать также режим воздействия затвора на канал стимулирует или подавляет протекание тока в нем. Ниже при описании режимов работы полевых транзисторов мы применим ту же терминологию, какая используется для биполярных транзисторов.
Однако следует понимать, что в полевых транзисторах физические процессы протекают иначе и зачастую нельзя однозначно утверждать, что транзистор находится в таком-то режиме без некоторых уточнений. Например, в нашей транскрипции активный режим и режим насыщения могут существовать одновременно независимо друг от друга. Активный режим — соответствует случаям, рассмотренным при анализе усилительных свойств полевых транзисторов. Именно в активном режиме транзистор наилучшим образом проявляет свои усилительные свойства.
Часто такой режим называюют основным , усилительным или нормальным на усилительные свойства полевого транзистора также оказывает влияние состояние канала, а именно находится ли он в режиме насыщения — см. При рассмотрении полевых транзисторов мы практически всегда за исключением ключевых схем имеем дело с активным режимом, но здесь имеется одна тонкость, о которой также часто говорят как о режиме работы транзистора или как о режиме работы затвора.
Часто просто говорят о режиме обеднения и режиме обогащения. Заметим, что МДП-транзисторы с индуцированным каналом могут находиться в активном режиме только в случае режима обогащения канала, а для МДП-транзисторов со встроенным каналом это может быть и режим обогащения, и режим обеднения. Реальные процессы в транзисторе в этом случае сильно зависят от его конструкции, практически никогда не документируются и трудно предсказуемы. Поэтому говорить о режиме обогащения для полевых транзисторов с управляющим переходом не принято да и просто бессмысленно.
Инверсный режим — по процессам в канале противоположен активному режиму, то есть поток носителей зарядов в канале протекает не от истока к стоку, а наоборот — от стока к истоку.
Для инверсного режима требуется только изменение полярности напряжения на канале, полярность напряжения на затворе остается неизменной. В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления. Обычно из-за конструктивных различий между областями стока и истока усилительные свойства транзистора в инверсном режиме проявляются хуже, чем в режиме активном.
Впрочем, в некоторых видах МДП-транзисторов конструктивная ассиметрия минимальна, что приводит к симметричности выходных статических характеристик такого транзистора относительно изменения полярности напряжения сток—исток.
Данный режим практически никогда не используется в усилительных схемах, но для аналоговых переключателей на полевых транзисторах он оказывается полезен. Однако здесь есть одна ловушка, в которую довольно легко попасть начинающему. Дело в том, что в большинстве МДП-транзисторов особенно в мощных производители соединяют подложку с истоком внутри корпуса прибора, что фактически означает, что в этих транзисторах между истоком и стоком имеется диод который не позволяет подавать на переход исток—сток инверсное напряжение, превышающее прямое падение напряжения на этом диоде, то есть инверсный режим в таком транзисторе попросту невозможен.
Вообще, в случае полевых транзисторов о режиме работы вспоминают гораздо реже, чем для биполярных. Дело здесь в том, что каждый конкретный тип полевого транзистора имеет конструкцию строго ориентированную на выполнение какой-то конкретной функции усиление слабых сигналов, ключ и т. Поэтому имеет смысл говорить просто о нормальном режиме работы , когда все соответствует документации, или о ненормальном , который в документации просто не предусмотрен да и вряд ли кому-то понадобиться использовать его в схемах.
Режим насыщения — характеризует состояние не всего транзистора в целом, как это было для биполярных приборов, а только токопроводящего канала между истоком и стоком. Данный режим соответствует насыщению канала основными носителями зарядов. Такое явление как насыщение является одним из важнейших физических свойств полупроводников.
Оказывается, что при приложении внешнего напряжения к полупроводниковому каналу, ток в нем линейно зависит от этого напряжения лишь до определенного предела напряжение насыщения , а по достижении этого предела стабилизируется и остается практически неизменным вплоть до пробоя структуры.
В приложении к полевым транзисторам это означает, что при превышении напряжением сток—исток некоторого порогового уровня оно перестает влиять на ток в цепи. Если для биполярных транзисторов режим насыщения означал полную потерю усилительных свойств, то для полевых это не так. Здесь наоборот, насыщение канала приводит к повышению коэффициента усиления и уменьшению нелинейных искажений. До достижения напряжением сток—исток уровня насыщения ток через канал линейно увеличивается с ростом напряжения то есть ведет себя так же, как и в обычном резисторе.
Автору неизвестно какого-либо устоявшегося названия для такого состояния полевого транзистора когда ток через канал идет, но канал ненасыщен , будем называть его режимом ненасыщенного канала он находит применение в аналоговых ключах на полевых транзисторах. Режим насыщения канала обычно является нормальным при включении полевого транзистора в усилительные цепи, поэтому в дальнейшем при рассмотрении работы транзисторов в схемах мы не будем делать особого акцента на этом, подразумевая, что между стоком и истоком транзистора присутствует напряжение, достаточное для насыщения канала.
Режим отсечки — режим, в котором ток через канал полевого транзистора не протекает. Переход полевого транзистора в режим отсечки происходит по достижении напряжением на затворе определенного порога напряжение отсечки. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом режим отсечки имеет место при нулевой разности напряжений между истоком и затвором, а по достижении напряжения отсечки или порогового напряжения канал открывается. Поскольку выходной ток транзистора в режиме отсечки практически равен нулю, он используется в ключевых схемах и соответвует размыканию транзисторного ключа.
Помимо режима работы для эксплуатации полевых транзисторов имеет значение то, каким образом транзистор включен в каскад усиления как поданы питающие напряжения на его электроды, в какие цепи включены нагрузка и источник сигнала. Так же как и для биполярных транзисторов, здесь различают три основных способа рис. Схемы включения полевых транзисторов направления токов соответствуют активному режиму работы.
Отличие лишь в том, что критерием нахождения транзистора в режиме усиления здесь служит наличие потока зарядов через канал от истока к стоку. Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав.
Программирование Схемотехника Умный дом О проекте. Конструирование схем Обозначения и соглашения Физика полупроводников Полупроводниковые приборы Виды и параметры диодов Виды и параметры транзисторов Выпрямительные диоды Универсальные и импульсные диоды Стабилитроны и стабисторы Ограничители напряжения Варикапы Туннельные диоды Диоды СВЧ Светодиоды Фотодиоды Генераторы шума Биполярные транзисторы БТ Полевые транзисторы ПТ Основные виды и устройство ПТ ПТ как усилитель сигналов Усиление в ПТ с управляющим переходом Усиление в МДП-транзисторах Режимы и схемы включения ПТ Цепи преобразования напряжений Цепи смещения транзисторных каскадов Усилительные каскады и устройства Стабилизаторы и источники опорного напряжения Схемы обработки аналоговых сигналов Цифро-импульсные узлы и коммутаторы Детекторы Смесители Генераторы и преобразователи Проектирование и расчет транзисторных схем Примеры схем и проектов Справочник.
Режимы работы и схемы включения полевых транзисторов. Схемотехника - Схемотехника и конструирование схем.
СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Для всего большого количества разнообразных полевых транзисторов ПТ характерно наличие трёх основных электродов, сопоставимых с соответствующими электродами биполярного транзистора исток-эмиттер, затвор-база, сток-коллектор. Основные типы ПТ, отличающиеся технологией изготовления, полярностью напряжения питания и параметрами, а также их входные и выходные характеристики представлены на рис. Основное деление полевых транзисторов осуществляется по типу проводимости канала. Различают ПТ с каналом n-типа и р-типа. Тип канала определяет полярность напряжения питания цепи стока.
Схемы включения Полевых Транзисторов
Анализируя возможность использования полевых транзисторов для усиления электрических сигналов мы ограничивались только одним частным случаем подачи на электроды транзистора определенных напряжений и не рассматривали некоторые достаточно важные физические процессы в полупроводниках. Но помимо уже описанной ситуации возможны и другие, приводящие, например, к протеканию в канале тока не от истока к стоку, а наоборот — от стока к истоку и т. В общем случае для полевого транзистора, так же как и для биполярного, возможны различные устойчивые состояния режимы работы. Они отличаются друг от друга тем, в каком состоянии находится канал, соединяющий исток и сток транзистора, а также направлением тока, протекающего в канале. В полевых транзисторах дополнительно принято классифицировать также режим воздействия затвора на канал стимулирует или подавляет протекание тока в нем. Ниже при описании режимов работы полевых транзисторов мы применим ту же терминологию, какая используется для биполярных транзисторов. Однако следует понимать, что в полевых транзисторах физические процессы протекают иначе и зачастую нельзя однозначно утверждать, что транзистор находится в таком-то режиме без некоторых уточнений.
Анализ и расчет статических параметров транзистора в схеме с общим затвором
О компании Реквизиты Сотрудники Вакансии. Информация Сертификаты Вопрос-ответ Справочники. Общие положения Оплата и доставка Гарантия на товар Заказать товар. Полевые транзисторы: типы, устройство, принцип и режимы работы, схемы включения, основные параметры, использование Полевым транзистором ПТ называется полупроводниковый радиокомпонент, используемый для усиления электрического сигнала. В цифровых устройствах схемы на основе ПТ исполняют функции ключей, управляющих переключениями логических элементов.
Режимы работы и схемы включения полевых транзисторов
Полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называют полевыми транзисторами. У них в создании электрического тока участвуют носители заряда только одного типа электроны или дырки. Полевые транзисторы бывают двух видов: с управляющим p-n-переходом и со структурой металл - диэлектрик — полупроводник МДП-транзисторы. Упрощенная структура полевого транзистора с управляющим а ; условные обозначения транзистора, имеющего канал n-типа б и р-типа в ; типовые структуры г, д : структура транзистора с повышенным быстродействием е Транзистор с управляющим p-n-переходом рис. Вдоль пластины выполнен электрический переход p-n-переход или барьер Шотки , от которого сделан третий вывод — затвор.
Полевые транзисторы
Цель: Ознакомить курсантов с принципом работы полевых транзисторов, конструктивными особенностями, схемами включения. Униполярными или полевыми транзисторами называются трех электродные полупроводниковые приборы, в которых ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду. Оба названия этих транзисторов достаточно точно отражают их основные особенности:. Управление током канала осуществляется осуществляется при помощи электрического поля. Электроды, подключенные к каналу, называются стоком Drain и истоком Source , а управляющий электрод называется затвор Gate. Напряжение управления, которое создает поле в канале прикладывается между затвором и истоком.
1.2.2. Схемы включения полевых транзисторов
Аналогично биполярным транзисторам, полевые транзисторы имеют три схемы включения. Схемы включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, с каналом n-типа представлены на рис. Для транзисторов с каналом р-типа полярности источников напряжения меняются на обратные. Теоретически воль-амперная характеристика полевого транзистора описывается соотношениями:.
Схемы включения транзисторов
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Коммутация нагрузки ардуиной, MOSFET транзисторыКомпьютерные сети Системное программное обеспечение Информационные технологии Программирование. Поделись: Не нашли то, что искали? Google вам в помощь! Схема 1.
Данная курсовая работа посвящена рассмотрению статических параметров одного из самых распространенных и самых универсальных усилительных приборов — полевого транзистора ПТ. Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный трехполюсник, поэтому включение его в схему можно осуществить шестью различными способами. Однако практический интерес представляют лишь те способы включения, которые позволяют получить усиление по мощности. Таких схем три:. Входное и выходное сопротивления, а также функции прямой и обратной передач усилительного каскада на полевом транзисторе будут, зависеть от выбранной схемы включения.
Собираю диммер на полевом транзисторе. Уже спалил пару полевых, поэтому прошу помочь разобраться. Детектор нуля и таймер работают отлично.
Дорогу одолеет идущий. Желаю вам ни когда не останавливаться и быть творческой личностью – вечно!