Микросхема к2ус371
Содержание драгметаллов в радиодеталях. Разъем содержание драгметаллов. Содержание драгметаллов в микросхемах. Содержание драгметаллов в конденсаторах.
Поиск данных по Вашему запросу:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
Микросхема
Все микросхемы имеют два варианта внешпего оформления см. Корпус ИМС — пластмассовый с размерами 19,5x10x4,5 мм или 18,5x15x5,5 мм. У каждой микросхемы четырнадцать плоских луженых латунных выводов, первый из которых обозначен специальной точкой на корпусе.
На корпусе обозначены также величины сопротивлений регулировочных резисторов и контакты, к которым они должны быть подключены; условное обозначение шифр ИМС; дата изготовления и товарный знак предприятия. Все резисторы, входящие в состав микросхем, имеют пленочное исполнение. В случае отказа в работе микросхемы ремонту не подвергаются.
Неисправные микросхемы заменяются годными с последующим получением оптимальных режимов при помогши подборных и регулировочных элементов. Пайка микросхем должна производиться специальным групповым паяльником для одновременного прогрева всех четырнадцати выводов мощностью не более 60 вт. При установке микросхем на печатную плату приемникп необходимо помнить и соблюдать следующие правила:.
При использовании интегральных микросхем нельзя допускать превышения предельно допустимых режимов. Мощность, потребляемая от источника питания, для всех микросхем кроме К2УС — 50 мет не превышает 25 мет. Параметры микросхемы при номинальном напряжении питания Ео составляют:. На транзисторах 77, Т2 собран усилитель высокой частоты по каскодной схеме.
С катушки связи L2 контура УВЧ сигнал через контакт 7 подается на несимметричный вход смесителя, выполненного на транзисторах Т5, Т7. Гетеродин собран на транзисторе Т6 по схеме с общим эмиттером. Каскад эмиттерного повторителя на транзисторе Т4 выполняет функции усилителя. База транзистора Т4 заземлена: контакт 12 и конденсаторы С5, С Сигнал от гетеродина подается в эмиттеры транзисторов смесителя Т5, Т7 — симметричный вход.
Для устойчивости работы. При установке ИМС на плату, кроме соблюдения общих правил, необходимо, чтобы выводы конденсаторов контуров УВЧ, гетеродина, смесителя и соединения этих выводов с соответствующими катушками индуктивности были минимальной длины. Это же требование распространяется и на провод, соединяющий выводы 7 и 13 микросхемы.
Напряжение питания после развязки R1, CIS должно подводиться непосредственно к контуру гетеродина, а от него уже отдельными проводниками на остальные элементы подключения и контакты микросхемы.
Конденсатор С13 должен присоединяться к точке соединения всех проводников положительной шины питания. Питающими шинами следует занимать возможно большую площадь, используя их для разделения отдельных цепей: входной цепи, контуров УВЧ, гетеродина и смесителя. Сами же эти цепи должны быть разнесены на расстояние не менее 25 — 30 мм.
Площади контуров между выводами микросхемы 1 — 2, 8 — 9, 8 — 11, 11 — 12 нужно иметь минимальными. В микросхеме использованы транзисторы типа КТГ 77 — Т4 в двух каскадах усиления и эмиттерном повторителе. Первый каскад усиления собран на транзисторе Т1 с заземленным амиттером. Коллектор транзистора нагружен на второй усилительный каскад Т2, ТЗ , выполненный по каскодной схеме общий эмиттер — общая база , с последовательным питанием транзисторов по постоянному току.
Нагрузкой этого каскада является эмиттерный повторитель, собранный на транзисторе Т4. Цепочка R8 и конденсатор С10 С15 выполняет функции частотной коррекции. Все каскады ИМС охвачены обратной связью. При установке ИМС на плату необходимо особое внимание уделять монтажу, чтобы исключить циркулирующие токи в общих шинах питания. Наличие этих токов может привести к значительным искажениям характеристик усилителя.
Параметры микросхемы при номинальном напряжении питания Ео и напряжении АРУ не более 5 в составляют:. На транзисторе Т1 собран резистивный усилитель высокой частоты. Напряжение сигнала с коллектора этого транзистора подается через подключаемый конденсатор СЗО на базы транзисторов смесителя Т2, Т5 синфазно и балансируется на выходе.
Сигнал от гетеродина Т4, Т6 поступает в цепь эмиттеров транзисторов Т2, Т5 точка А , на которых собран смеситель по балансной схеме. Под воздействием преобразуемого сигнала ток несущей частоты, протекающий через каждый транзистор смесителя, последовательно изменяется в противоположные стороны.
В выходной обмотке трансформатора ПЧ L22 течет разностный ток двух плеч смесителя. Повышение температурной стабильности достигается включением в эмиттерные цепи транзисторов Т2 и Т5 резисторов R3 и R8. Введенная таким образом отрицательная обратная связь, уменьшает разброс характеристик плеч преобразователя, облегчает подбор транзисторов, улучшает стабильность работы схемы, повышает ее входное сопротивление и уменьшает нелинейные искажения.
На транзисторах Т4 и Т6 собран самовозбуждающийся гетеродин с отрицательным сопротивлением. Первая петля обратной связи — положительная, а вторая — отрицательная.
Амплитуда колебаний стабилизирована каскадом на транзисторе ТЗ. Эквивалентное сопротивление гетеродинного контура Lг, Cг , приведенное к выводам 5, 8 ИМС, целесообразно выбирать в пределах 4 — 10 ком. Уменьшение этого сопротивления приводит к ухудшению условий самовозбуждения, а при увеличении — к понижению стабильности частоты.
Оптимальное значрние напряжения гетеродина относительно земляной шины во всех диапазонах составляет — мв. Для повышения устойчивости по промежуточной частоте и снижения уровня собственных шумов УВЧ установлен последовательный контур L21, С Чтобы напряжение гетеродина не проникало на выход смесителя выводы 10, 12 ИМС и на вход. УПЧ приемника, необходимо, чтобы обмотки трансформатора L22, L23 были симметричны относительно среднего вывода.
Спектр напряжения на выходе преобразователя частоты аналогичен спектру напряжения на выходе диодных балансных преобразователей. П-4 , подсоединить к микросхеме в непосредственной близости к выводам 9; 8, 7; 3, 4; 6, 8 соответственно.
Выводы 2 и 7 микросхемы необходимо соединять с земляной шиной вблизи ИМС. На транзисторе Т1 собран регулируемый каскад усиления ПЧ, нагрузкой которого вывод 14 является полосовой фильтр L24, С40, С41, настроенный на частоту кгц. Волновое сопротивление части фильтра, приведенное к выводам 3, 14 ИМС, выбирается из условий получения требуемой полосы пропускания с учетом шунтирования фильтра сопротивлением микросхемы между выводами 3 и 14 величиной 1,5 — 2 ком.
Все каскады УПЧ охвачены петлями отрицательной обратной связи R9, R12, R15, R13, R4 , которая позволяет повысить температурную стабильность каскадов, снизить коэффициент нелинейных искажений и расширить полосу пропускания. Подбором величины резистора подключения R17 вывод 7 ИМС можно регулировать коэффициент усиления УПЧ и глубину обратной связи, а при помощи переменного резистора R18 вывод 5 ИМС осуществляется выбор рабочей точки транзистора и подбор величины оптимальной обратной связи.
На составном транзисторе 77, Т8 схема Дарлингтона собран детекторный каскад с эмиттерной нагрузкой R Конденсатор подключения С42, установленный между выводами 9 и 10 ИМС, осуществляет фильтрацию колебаний промежуточной частоты.
В данном случае применена схема АРУ с задержкой и необходимой при использовании такой схемы уровень смещения создается благодаря наличию управляющего усилителя. При сильных сигналах транзистор Т2 открывается и система АРУ начинает работать. Изменение усиления канала достигается регулированием напряжения на коллекторе транзистора 77 и транзистора УВЧ в ИМС4 см.
При установке ИМС на плату, кроме соблюдения общих правил, необходимо основное внимание уделить уменьшению длины проводов, соединяющих выводы 7 ж 10 ИМС с соответствующими резистором и конденсаторами при одновременном уменьшении площади контура, образованного в этом случае.
Эта схема состоит из пяти каскадов предварительного УНЧ и обеспечивает раскачку выходного каскада. На транзисторах Т2 — Т4 собран трехкаскадный предварительный усилитель НЧ с обратной связью по постоянному току, причем первый и третий каскады усиления собраны по схеме с общим эмиттером, а второй каскад на транзисторе ТЗ является эмиттерным повторителем.
Этот каскад используется в качестве согласующего между двумя каскадами по схеме с общим эмиттером, чтобы избежать шунтирования предыдущего каскада малым входным сопротивлением последующего.
Кроме того, включение промежуточного эмиттерного повторителя обеспечивает снижение чувствительности схемы к разбросу параметров транзисторов. На транзисторе Т5 работает предоконечный каскад УНЧ с коллекторной нагрузкой. Эта нагрузка — симметричная, так как оба плеча выходного каскада включены по схеме с общим коллектором. Связь предоконечного каскада с выходным — непосредственная без переходных конденсаторов , что улучшает частотную характеристику в области низших звуковых частот.
Как отмечалось см. Для повышения температурной стабильности и улучшения качественных показателей усилитель НЧ охвачен местными и общими петлями обратной связи. Выходной каскад через резистор R9 охвачен положительной обратной связью по питанию. Кроме того, для обеспечения высокой линейности и необходимой широко-полосности весь УНЧ охвачен общей отрицательной обратной связью путем соединения входа усилителя с точкой симметрии выходного каскада вывод 1 ИМС — цепочка R13, R6 и подключаемые элементы R7, С5, С6 вывод 2 ИМС.
Подключаемый конденсатор С7 выводы 1 и 8 ИМС выполняет функции фильтрующего. Подключаемый резистор R8 вывод 3 или 11 ИМС, к которому он должен быть подключен, указан на корпусе микросхемы обеспечивает симметрию и получение максимальной выходной мощности УНЧ. На транзисторе Т1 собран управляемый усилитель обратной связи, который обеспечивает постоянство напряжения на базе транзистора Т2 за счет делителя из резисторов R4 и R3.
Напряжение на базе транзистора Т1 определяется делителем Rl, R2. В случае подключения симметрирующей цепочки к выводу 11 ИМС при необходимости изменением величины сопротивления резистора R8 можно в определенных пределах менять величину напряжения на базе транзистора 77, тем самым изменяя величину его коллекторного тока и соответственно напряжения на базе транзистора Т2.
Коэффициент усиления УНЧ в небольших пределах можно регулировать путем изменения величины сопротивления подключаемого резистора R7. Увеличение номинала R7 приводит к уменьшению нелинейных искажений за счет увеличения глубины обратной связи и уменьшает коэффициент усиления. Однако при значительном увеличении номинала R7 может возникнуть возбуждение усилителя. При уменьшении номинала R7 возрастает уровень нелинейных и особенно переходных искажений.
Сигнал на вход ИМС подводится к выводам 3 и 4 микросхемы. Чувствительность и входное сопротивление УНЧ определяется величиной сопротивления резистора, установленного последовательно с выводом 3 ИМС. Причем значительное уменьшение номинала этого резистора является нежелательным, так как это приводит к уменьшению глубины отрицательной обратной связи и к увеличению влияния входного сопротивления источника сигнала на устойчивость работы УНЧ.
Величина емкости конденсатора С8 выбирается из условия обеспечения необходимой степени сглаживания пульсаций напряжения источника питания на выводе 10 ИМС. Все указанные напряжения измеряются по отношению к отрицательному полюсу источника питания корпусу. Коллекторы транзисторов Т4 — Т7 выходного каскада, вывод нагрузки и выводы источника питания должны непосредственно соединяться с соответствующими выводами конденсатора С Режимы измерены относительно минуса источника питания при номинальном напряжении батареи 9 в.
В полосовых фильтрах радиовещательных приемников собственное затухание растет в зависимости от уменьшения добротности и полосы пропускания. Поэтому улучшение характеристик селективности — повышение коэффициента прямоугольности и снижение собственного затухания в полосе пропускания достигается уменьшением потерь в элементах фильтра.
В приемниках в тракте AM с промежуточной частотой кгц получение фильтров с высокой добротностью и малыми габаритами возможно при использовании пьезокерамических резонаторов.
Такие резонаторы имеют добротность от — до нескольких тысяч. Этот фильтр имеет кривую селективности, близкую к идеальной. Резонаторы фильтра выполнены из метаниобатов свинца и бария материал типа КНБС и имеет форму дисков диаметром 5,8 мм и толщиной 0,5 — 1 мм. Каждый резонатор может быть представлен двухполюсной эквивалентной схемой, состоящей из двух параллельных ветвей: первая — индуктивность, омическое сопротивление, емкость; вторая — емкость.
Для обеспечения необходимой селекции резонаторы соединяются в звенья, каждое из которых имеет одно поперечное и два продольных плеча.
На сайте радиочипи представлены принципиальные схемы сабвуферов, собранные своими руками
Войти Логин: Пароль Забыли? Аналоговые интегральные микросхемы. Справочник Автор: Boss от , 0. Оставить комментарий. Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Можно заменить микросхему К2УС371 на К2УС372 ?
Регистрация на форуме — это бесплатная процедура, которую нужно пройти всего один раз, чтобы иметь возможность вести диалог в существующих темах, а так-же создавать свои. Автор: Admin-Radiodetali-Sfera. Подскажите пожалуйста, покупают ли такие микросхемы, ни в прайсе ни в каталоге что-то не нашёл. Белые ноги. И если да то почём В наличии более шт. Не подскажите когда будут цены на пласмасса микро. Покупают ли их на данный момент. ДА позолота внутри, но КАК ее разламывать?
Микросхемы к2жа371,к2ус371,к2ус248
Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Это полный аналог К2УС Усилитель разве что для наушников, но современные микросхемы намного лучше для этого подходят.
Щось пішло не так :(
Пример: max Реклама на сайте Помощь сайту. Каталог программ Производители Каталог схем Datasheet catalog. Пример: max Запросить склады. Применение микросхемы TDAQ. Микросхема может включаться как УМЗЧ с четырьмя независимыми каналами с максимальной мощностью по 11 Вт в каждом канале при сопротивлении нагрузки 2 Ом, так и по мостовой схеме: два канала по 22 Вт, сопротивление нагрузки - 4 Ом.
микросхема К2УС371 и К237УН1отличие circuit
Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны. Прошу подсказать ,можноли поменять микросхему к2ус на к2ус так как у меня вторых много И потребуются какие то переделки в процессе монтажа. Оценка 0. Крупнейшее в Китае предприятие по производству прототипов печатных плат, более , клиентов и более 10, онлайн-заказов ежедневно. STM32G0 - средства противодействия угрозам безопасности. Результатом выполнения требований безопасности всегда является усложнение разрабатываемой системы. Особенно чувствительными эти расходы стали теперь, в процессе массового внедрения IoT.
Интегральная гибридная микросхема К2УС рис. Интегральная гибридная микросхема К2ЖА рис. Интегральная гибридная микросхема К2ЖА предназначается для использования в су пер гетеродинных радиовещательных приемниках без УКВ диапазона. Интегральные гибридные микросхемы К2УС, К2УС и К2УС представляют собой предварительные рези-стивные усилители для бестрансформаторных УНЧ радиовещательных приемников, электрофонов и тому подобных бытовых звуковоспроизводящих устройств.
Общая сумма с учетом скидки пусто. Все заказы с сайта Уважаемые покупатели и посетители интернет-магазина! Поздравляем Вас со светлым праздником Пасхи!
Микроэлектроника — область электроники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и применения микроэлектронных изделий. Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемой числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Интегральная микросхема — микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов или элементов и компонентов и или кристаллов, которые с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации рассматриваются как единое целое. Элемент интегральной микросхемы — часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации к электрорадиоэлементам относятся: транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и др. Компонент интегральной микросхемы — часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Кристалл интегральной микросхемы — часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. Полупроводниковая интегральная микросхема — микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Усилитель от "Маяк". Сообщение от asco. Ads Яндекс.
а я к этому и стремлюсь...
гы во гонят....
Извиняюсь, но это не совсем то, что мне нужно. Есть другие варианты?
Если это не большой секрет;), автор блога откуда родом?